跟星火小组开完会之后，陈念回到了自己的住处。
此时时间已经是晚上10点，陈念的身体极为疲惫，但心却终于定了下来。
实际上，他最怕的事情不是科技发展慢、也不是自己的源点不足，而是技术基础、技术原理有了，因为各种原因反而造不出来。
在现在这个年代大家都没有太深的感受，但他可是切身体验过的！
记得那时候他还在某军工企业任职，有一个项目需要跟民企合作，但当公司发出招标公告之后，真正回应的公司却寥寥无几。
自己所在的公司明明是付钱最积极、破事儿也最少的优质客户，项目的回报也很丰厚，可就是没人敢来。
为什么？
原因很简单。
一旦跟自己所在的公司发生了业务往来，在那只大手之下，可能人家整个公司都要毁于一旦。
到了最后，只有3家头铁的公司硬是顶着最严厉的限制过来投标，而他们的想法也很简单：
大不了干完这票就倒闭。
而结果，中标的那家公司也真的差点就倒了，业务大面积违约，供应链断裂，资金极度紧张。
在最困难的时候，那家公司的负责人车都卖了，天天骑个共享单车上班。
要不是靠着这个项目的收入和国资委的特殊政策，他是不可能撑得下去的。
所以，也不能怪国内的企业独善其身。
要怪只能怪自己实力不足，保护不了手下的这些小弟。
那种感觉，甚至比实实在在的冲突还要憋屈。
现在重活一世，陈念绝对不允许这样的事情再发生。
甚至，他想要做的还要更多。
你们能打压我们，我们就不能反制吗？
只要我挂开得够大，只要我们的发展速度足够快，总有一天，我们的技术会全面超过你们。
到了那个时候，攻守易型，就不是我们求着你，而是你求着我们了。
想到这里，陈念心里又升起了浓浓的紧迫感。
他跑到卫生间快速洗了个澡，休息几分钟之后，重新又坐到了书桌前。
硅材料学习的进度已经不算慢，现在他已经熟练掌握了有关晶体几何学的全部基础，进入了第四部分晶体缺陷部分的学习。
其中他最关注的就是位错缺陷和氧化雾缺陷，因为这是单晶硅制造过程中最常见的缺陷，主要受流程和设备影响导致。
搞清楚其中的原理，说不定可以让单晶炉的解析源点要求有所下降……
于是，接下来的两个小时内，陈念把所有与晶体材料有关的知识全部都复习了一遍，知识点全部记牢，原理和应用方式也烂熟于心。
但当他打开系统去看单晶炉的解析需求时，却发现解析源点需求没有一点变化。
这又是怎么回事？
不应该啊。
陈念皱起眉头，疑惑地看着自己刚刚记下的笔记。
难道是信息密度不够？
但按照他之前的经验，如果是强相关的知识，对“降价”的加成还是挺大的，不应该一点反应都没有。
哪怕有0.001，也算是正常情况吧。
或者……是需要应用？
想到这里，陈念思索了片刻，重新拿起笔开始在纸上写字。
“单晶炉技术要点1：由于杂质可导致孪晶、嵌晶、孔洞、夹杂物、氢致缺陷、COP等缺陷，所以单晶炉内部清洁极为重要，需要保证主炉室、隔离阀、副炉室气密性，在目前技术条件下，可以选择用过氟橡胶进行真空密封……”
“单晶炉技术要点2：单晶生长过程中如果热场温度梯度过大，晶体中产生较大热应力，则会导致晶体内部发生位错缺陷，并使其增殖。为避免此类情况，单晶炉可以选用双筒法兰结构，通水冷却，并最好使用隔水条，保证冷却均匀……”
“单晶炉技术要点3：微缺陷发生的原因是……”
陈念一边思考一边写，这些信息可就不是系统解析来的了，而是他根据之前的学习，包括在制造新材料时掌握的经验一点点推出来的。
其中关于真空密封的部分属于老生常谈，但双筒法兰结构+隔水条冷却，则是他自己考虑后认为最合适的处理方式。
也就是说，这是他的原创设计。
但当然，这样的设计只是一个想法，或者说一个方向，远远达不到能画出结构图输出到应用阶段的要求。
陈念也不打算这么去做，因为复杂的数值推演、数值调整实在是太花时间了，还不如直接解析的费效比高。
省下来的时间用来学习和实验，带来的源点数量收益反而会更高。
就是不知道只做到这一步的话能不能降低一点源点需求……哪怕0.01点也好啊。
这么想着，陈念打开了系统界面，重新扫描单晶炉，先要看看最新的源点消耗。
而当那个数字呈现在他面前时，他几乎乐得从椅子上跳了起来。
原本2.9的源点数量需求，已经变成了2.72！
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